泛林推出全球首台钼原子层堆积设备 ALTUS Halo已获美光等使用

  IT之家 2 月 21 日音讯，半导体设备巨子泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间 19 日宣告正式推出全球首型钼（Mo）原子层堆积（IT之家注：即 ALD）设备 ALTUS Halo，该设备

  在最近 20 多年的芯片上金属布线元器件互联等半导体工艺中，钨（W）一向凭仗其超卓的沟槽填充才能起到很重要的效果。

  可是跟着半导体制程的开展，钨电阻较高的下风逐渐闪现，此刻在沟槽填充和电阻两方面体现均优异的钼正成为布线工艺的新宠。而 ALTUS Halo 便是一台向半导体注入钼的设备。

  泛林集团高档副总裁兼全球产品集团总经理 Sesha Varadarajan 表明：

  根据泛林深沉的金属化专业相关常识，ALTUS Halo 是 20 多年来原子层堆积范畴最严重的打破： 它将泛林的四站模块架构和 ALD 技能的新进展结合在一起，为大批量出产供给了工程化的低电阻率钼堆积，这是新式的、未来的芯片改变（包含千层 3D NAND、4F2 DRAM、先进 GAA 逻辑电路）的要害要求。

  钼金属化的集成使美光可以在最新一代 NAND 产品中首先推出业界抢先的 I/O 带宽和存储容量。泛林的 ALTUS Halo 设备使美光将钼投入量产成为可能。

  除 ALTUS Halo 外，泛林还同期推出了一款等离子体蚀刻设备 Akara，其选用固态等离子体源，生成的等离子体响应速度提升了 100 倍，支撑更大纵横比的超高精度蚀刻，以构成杂乱的 3D 结构。